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半導體分立器件AEC-Q101認證試驗

簡要描述:

廣電計量在SiC第三代半導體分立器件AEC-Q101認證試驗上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力*覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。

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更新日期:2024-09-03

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半導體分立器件AEC-Q101認證試驗
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半導體分立器件AEC-Q101認證試驗AEC-Q101對各類半導體分立器件的車用可靠性要求進行了梳理。導體分立器件AEC-Q101認證試驗不僅是對元器件可靠性的國際通用報告,更是打開車載供應鏈的敲門磚。 廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力*覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。

隨著技術的進步,各類半導體功率器件開始由實驗室階段走向商業(yè)應用,尤其以SiC為代表的第三代半導體器件國產(chǎn)化的腳步加快。但車用分立器件市場均被國外*所把控,國產(chǎn)器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認可。

 

測試周期:

2-3個月,提供全面的認證計劃、測試等服務
 

產(chǎn)品范圍:

二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導體分立器件
 

測試項目:

序號測試項目縮寫樣品數(shù)/批批數(shù)測試方法
1Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric TestTEST所有應力試驗前后均進行測試用戶規(guī)范或供應商的標準規(guī)范
2Pre-conditioningPCSMD產(chǎn)品在7、8、9和10試驗前預處理JESD22-A113
3External VisualEV每項試驗前后均進行測試JESD22-B101
4Parametric VerificationPV253 Note A用戶規(guī)范
5High Temperature
Reverse Bias
HTRB773 Note BMIL-STD-750-1
M1038 Method A
5aAC blocking
voltage
ACBV773 Note BMIL-STD-750-1
M1040 Test Condition A
5bHigh Temperature
Forward Bias
HTFB773 Note BJESD22
A-108
5cSteady State
Operational
SSOP773 Note BMIL-STD-750-1
M1038 Condition B(Zeners)
6High Temperature
Gate Bias
HTGB773 Note BJESD22
A-108
7Temperature
Cycling
TC773 Note BJESD22
A-104
Appendix 6
7aTemperature
Cycling Hot Test
TCHT773 Note BJESD22
A-104
Appendix 6
7a
alt
TC Delamination
Test
TCDT773 Note BJESD22
A-104
Appendix 6
J-STD-035
7bWire Bond IntegrityWBI53 Note BMIL-STD-750
Method 2037
8Unbiased Highly
Accelerated Stress
Test
UHAST773 Note BJESD22
A-118
8
alt
AutoclaveAC773 Note BJESD22
A-102
9Highly Accelerated
Stress Test
HAST773 Note BJESD22
A-110
9
alt
High Humidity
High Temp.
Reverse Bias
H3TRB773 Note BJESD22
A-101
10Intermittent
Operational Life
IOL773 Note BMIL-STD-750
Method 1037
10
alt
Power and
Temperature Cycle
PTC773 Note BJESD22
A-105
11ESD
Characterization
ESD30 HBM1AEC-Q101-001
30 CDM1AEC-Q101-005
12Destructive
Physical Analysis
DPA21 NoteBAEC-Q101-004
Section 4
13Physical
Dimension
PD301JESD22
B-100
14Terminal StrengthTS301MIL-STD-750
Method 2036
15Resistance to
Solvents
RTS301JESD22
B-107
16Constant AccelerationCA301MIL-STD-750
Method 2006
17Vibration Variable
Frequency
VVF項目16至19是密封包裝的順序測試。 (請參閱圖例頁面上的注釋H.)JEDEC
JESD22-B103
18Mechanical
Shock
MS

JEDEC
JESD22-B104
19HermeticityHER

JESD22-A109
20Resistance to
Solder Heat
RSH301JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)
21SolderabilitySD101 Note BJ-STD-002
JESD22B102
22Thermal
Resistance
TR101JESD24-3,24-4,26-6視情況而定
23Wire Bond
Strength
WBS最少5個器件的10條焊線1MIL-STD-750
Method 2037
24Bond ShearBS最少5個器件的10條焊線1AEC-Q101-003
25Die ShearDS51MIL-STD-750
Method 2017
26Unclamped
Inductive
Switching
UIS51AEC-Q101-004
Section 2
27Dielectric IntegrityDI51AEC-Q101-004
Section 3
28Short Circuit
Reliability
Characterization
SCR103 Note BAEC-Q101-006
29Lead FreeLF

AEC-Q005

 



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