芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室

芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室服務(wù)范圍

大規(guī)模集成電路芯片

檢測標(biāo)準(zhǔn)

●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110

●J-STD-020

●JS-001/002

●JESD78

檢測項目

（1）芯片級可靠性驗證試驗：高、低溫壽命老化試驗，高、低溫存儲試驗，溫度(功率)循環(huán)、沖擊試驗，高溫高濕試驗，高加速應(yīng)力試驗，芯片級機(jī)械測試試驗，推拉力測試。

（2）芯片靜電及閂鎖測試( ESD/LU）：人體、機(jī)器放電模式測試及驗證(HBM/MM/TLP)，系統(tǒng) ESD、EOS 測試(IEC-ESD/Surge/EFT)，元器件充放電模式測試(CDM)，閂鎖測試(LU)。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室服務(wù)背景

EUV制程工藝的高集成度芯片是新一代5G通信技術(shù)的核心。面向不同的5G應(yīng)用場景的可靠性應(yīng)用驗證是5G芯片推向市場應(yīng)用的關(guān)鍵步驟，芯片級試驗驗證的需求越來越急迫，挑戰(zhàn)也越來越大。

我們的優(yōu)勢

（1）提供面向多場景的芯片動態(tài)老煉測試（TDBI），為產(chǎn)品NPI階段提供專業(yè)和全面的?煉測試方案，解決動態(tài)?煉過程中?功耗芯片獨立溫控，矢量畸變和延時的眾多困擾；

（2）芯片封裝完整性全面測試，包含引線鍵合拉力，芯片粘接力，可焊性等，對芯片封裝可靠性進(jìn)?更為科學(xué)的評估；

（3）芯片靜電及閂鎖測試，提供覆蓋人體/機(jī)器放電模式測試及驗證( H B M / M M / T L P )、系統(tǒng)E SD/ E O S測試( I E CESD/Surge/EFT)、元器件充放電模式測試(CDM)和閂鎖測試(LU)。